【服务】多功能芯片外协封测

询价单名称：多功能芯片外协封测询价单编号：HTBM-FW-DGNXPWX联系人：王晓亮询价时间：2026-10-26 18:47:53报价截止时间：2026-10-29 20:00:00询价人电话：***********采购企业：成都航天博目电子科技有限公司采购类型:单次采购报价要求：含税报价报价时不可以对部分商品报价不允许供应商提交多个报价方案报价币种：人民币付款方式:验收合格后付款报价价格类型:收货地址:四川省成都市金牛区金科南二路77号Ku波段幅相控制多功能技术通知单.pdfSCMF_Z1418A、SCMF_Z1418AM Ku波段幅相控制多功能.pdf 序号 服务名称 服务分类 服务内容 服务期 服务地点 备注 操作 1多功能芯片外协封测高新技术服务/技术研发/技术研发Ku波段幅相控制多功能SCMF_Z1418A、SCMF_Z1418AM 1000颗，具体要求详见附件技术协议书、技术通知单2个月四川省成都市金牛区金科南二路77路-报价地址：https://www.e-casic.com/记录编号：XTXC019-03本A（有页修订稿技术通知单筛片方案修订（两方案，二选一执行）批次芯片规格晶圆号07批SCMFZI418ASCMEZI418AMA29662=01-12、A29663=01-12、A2966501-09A27998=03-06、A2965501-12、A29656=01-12.A29657=01-12.A29659=01-0608批SCMEZ1418ASCMEZI418AMA3534501-12.A35346=01-08A35343=01-12.A35344=01-0809批SCMFZ1418ASCMFZI418AMA3703501-12、A37036=01-12A3703801-12、A3703901-1010批、11批SCMEZI418ASCMFZI41SAMA3703508-09、A3703611-12、A37037=01-06.A4001001-04、A40010=06-12.A40011=01-12.A37039=11-12.A37040=01-06.A40012=01-07筛片方案（二选一执行）方案一：原方案维持原通知单口径不变已交付芯片筛片建议：对于车向同片装配的，采用原版筛片方法进行筛选的芯片进行召回，对召回芯片进行+3V和+7V复筛，复合格后再进行交付。未交付芯片筛片建议：1.对于未封测的芯片/晶圆统一进行+3V与+7V筛选、筛选合格后可直接进行交付。2.对于已按+5V全部封测的芯片/品圆，查看封测品图数据，针对品圆上偏相完全失效芯片复测：存在电平翻转电压异常的，整品圆芯片按+3V与+7V全部复筛合格后再进行交付：不存在电平翻转电压异常的，整品圆芯片抽测50颗按+3V与+7V测试合格后再进行交付。3.对于已按+7V全部封测的芯片/晶圆，查看封测品圆数据，针对晶圆上偏相完全失效芯片复测：存在电平翻转电压异常的，整品圆芯片按+3V全部复筛合格后再进行交付：不存在电平翻转电压异常的，整晶圆芯片抽测50颗按+3V测试合格后再进行交付第1页/共2页XTXC019-03方案二：+3V筛选按下限法（0.2V步进递减）新增方案本方案除“+3V筛选”一项外，交付条件与筛片规则与方案一完全一致仅将方案一中的+3V筛选改为：从+3.0V起按0.2V步进逐级减小驱动控制电压（+3.0V一+2.8V→+2.6V→.逐档测试，直至测到翻转电平的下限，以该下限作为合格判定依据。已交付芯片筛片建议：对于车向同片装配的、采用原版筛片方法进行筛选的芯片进行召回，对召回芯片进行+3V（按下限法，即0.2V步进递减测至翻转电平下限和+7V复筛，复筛合格后再进行交付。未交付芯片筛片建议：1.对于未封测的芯片/品圆统一进行+3V按下限法）与+7V筛选，筛选合格后可直接进行交付2.对于已按+5V全部封测的芯片/品圆，查看封测品圆数据针对晶圆上偏相完全失效芯片复测：。存在电平翻转电压异常的，整品圆芯片按+3V按下限法）与+7V全部复筛合格后再进行交付：。不存在电平超转电压异常的整品圆芯片抽测50颗按+3W按下限法）与+7V测试合格后再进行交付3.对于已按+7V全部封测的芯片晶圆，查看封测品圆数据，针对品圆上偏相完全失效芯片复测：·存在电平翻转电压异常的，整晶圆芯片按+3V按下限法）全部复筛合格后再进行交付：。不存在电平翻转电压异常的，整晶圆芯片抽测50颗按+3V（按下限法)测试合格后再进行交付记录要求：按下限法测试时，每颗芯片频记录其翻转电平下限电压值（精确至0.1V随批提交。经评估，选取方案二为最终方案。编号XT5033-2025WX密别阶段标记非密KU5WP8模板版2sV2.0KU5VWP技术协议书Ku波段幅相控制多功能芯片名称封测SCMFZ1418A、代号SCMFZ1418AM提出单位成都航天博目电子科技有限公司承担单位第1页共23页内容提要：本技术协议描述了Ku波段幅相控制多功能芯片的技术要求、封测要求、交货要求和质量要求等，同时明确提出了对产品的验收交付方式的要求。主题词Ku波段幅相控制多功能芯片封测技术协议更改栏更改单号更改日期更改人更改办法第2页共23页表1芯片引出端位置、排列、功能描述及尺寸序列号符号功能PAD尺寸位置说明Xm）Y(um）1GND接地点100×100um²1501780-2COM收发公共端口100×150um²1501630-3GND接地点100×100um²1501480+5V4GND接地点100×100um²330150-5V5Rin接收输入端口100x150um²530150-6GND接地点100×100um²630150-7Vdd电源100x150um²3500140+5V8Vss电源100×150um²3840140-5V9SO开关控制信号1100×100um²4080810TTL电平10P1移相器11.25°控制位100×100um²4080960TTL电平11P2移相器22.5°控制位100x100um²40801110TTL电平12P3移相器45°控制位100×100um²40801260TTL电平13P4移相器90°控制位100×100um²40801410TTL电平14P5移相器180°控制位100×100um²40801560TTL电平15A1衰减器0.5dB控制位100×100um²40801710TTL电平16A2衰减器1dB控制位100×100um²40801860TTL电平17A3衰减器2dB控制位100×100um²40802010TTL电平18A4衰减器4dB控制位100×100um²40802160TTL电平19A5衰减器8dB控制位100×100um240302310TTL电平20Vdd电源100×100um²40302460+5V21Vss电源100×100um240302610-5V22GND接地点100×100um²40302760-23Vss电源100×150um²38403110-5V24Vdd电源100×150um²35403110+5V25Vdd电源100×150um²14303100+5V26GND接地点100×100um²6803100-27T_out发射输出端口100×150um²5303100-28GND接地点100×100um²23803100-第4页共23页2.4钝化钝化层材料为SiN，厚度不小于0.3um。2.5背面金属化芯片背面镀金，并满足芯片剪切强度的要求2.6划片槽划片槽宽度：40um。2.7推荐工作条件推荐工作条件如下：开关工作电压（V1/V2）：0V/5V驱动电源电压（VEE）：-5V工作温度范围（TA）：-55℃~+125℃2.8最大额定值最大额定工作值如下：开关工作电压（V1/V2）：-1V~+6V驱动电源电压（VEE）：-6V最大承受连续波功率（Pom）：27dBm烧结温度：300℃，30s，N保护贮存温度范围（T4g）：-65℃~+150℃2.9真值表芯片真值表应符合表2和表3的要求。表2多功能芯片幅相控制真值表P5P4P3P2P1+5V180度90度45度22.5度11.25度0V基态A5A4A3A2A1+5V衰减8dB衰减4dB衰减2dB衰减1dB衰减0.5dBOV基态表3多功能芯片收发控制真值表第5页共23页1任务目的与内容成都航天博目电子科技有限公司（简称甲方）委托乙方完成Ku波段幅相控制多功能芯片的封测，经双方协商达成技术协议。2芯片技术要求2.1工艺芯片采用GaAs工艺技术制作。2.2外形尺寸与标识芯片外形尺寸应符合图1的规定，芯片厚度为100um:10um。口口品号Q000282726220456789口2i100200i19012518口13017140影W16口SCMFZ1418AW18口SCMFZ1418AM18口16口140i17口13018口1219口ii0200100210品690品台22日台尺寸符号数值（mm）最小公称最大L4.184.24.22W3.233.253.27图1芯片尺寸、键合区及电极分布图2.3键合区键合区位置分布应符合图1的规定。芯片键合区位置、排列、功能描述及尺寸见表1。本芯片键合区材料为金。第3页共23页SO0RF1-RF2(Tx）开通RF3-RF1(Rx）关断1关断开通2.10电特性指标电特性指标应符合表4的要求，参数测试方法见附录A。表4幅相控制多功能芯片电特性序号12参数名称接收线性增益发射线性增益符号GnRF-RFI）GinRF-RF2)条件VD=+5V，VEE=-5V，Pi=-30dBm，:14.5GHz~16GHz间隔0.1GHz，TA=25℃零态，开通时零态，开通时极限值单位dB典型值5最小4最大734线性增益平坦度RFI口电压驻波比4GmVSWR零态，开通时零态，开通时5-1.54-1-711.8dBdB=5RF2口电压驻波比VSR零态，开通时1.5-1.8-6RF3口电压驻波比VSWR零态，开通时1.5=1.8-7RF口1dB压缩点输出功率PODXRF3-RF1）零态，开通时108-dBm89101112RF2口1dB压缩点输出功率衰减精度RMS衰减附加相移移相精度RMS移相附加调幅PIBXRFI-RF2）RMSK4ATRMSS4GT零态，开通时全态均方根误差全态全态均方根误差全态100.4---8--3--0.6-0.6330.6dBmdB。。dB13141516放大器静态电流驱动器静态电流幅度一致性相位一致性10/4G。40。零态零态零态零态说明：由于工艺的正常波动，上述电特性指标的具体筛选值见附录B。---=---1-156010115mAmAdB。第6页共23页3封测要求3.1封测项目Ku波段幅相控制多功能芯片要完成的封测项目如表5所示。表5封测项目封测项目晶圆批验收稳定性烘焙电特性筛选减薄划片分选目检x光是否包含xV注：各封测项目具体内容详见3.3-3.93.2封测前准备3.2.1场地要求芯片封测应在有净化条件的实验室进行。3.2.2环境要求芯片封测应在25下进行。3.2.3设备仪器要求具备能够完成上述封测项目的各种设备、仪器和专用工具，且均应良好接地并在计量有效期内。若封测过程需要探卡，应由乙方采购或生产，探卡详细规格见附录D。3.2.4防静电要求该芯片静电等级为0级，操作人员应佩带防静电护腕并保持接地良好，全程采取防静电措施。3.2.5技术文件资料准备Ku波段幅相控制多功能芯片封测前需准备的技术文件资料见表6。表6芯片封测用技术文件资料清单序号名称备注13.2.6外观检查Ku波段幅相控制多功能芯片封测技术协议书1）收到芯片或晶圆后应先检查外观是否有破损、划伤，表面是否有多余物：2）芯片上应存在标志“SCMF_Z1418A”或“SCMF_Z1418AM”，芯片外形尺寸第7页共23页应符合图1的规定，应能根据图1及表1的描述识别芯片的键合区排列和功能；3）留存相关照片以备复查。3.2.7测试状态检查1）首批测试标准片和数据经甲